最高層NAND、ペタ級ストレージ…「韓国半導体」また一歩リード
世界最大フラッシュメモリー半導体行事で「K(韓国)-半導体」が一次元高い技術で注目を受けた。SKハイニックスは238層NAND型フラッシュメモリーを世界で初めて公開し、サムスン電子はサーバーの保存空間を従来より5倍ほど拡大した1ペタ(1000兆)バイト級ストレージソリューションを出した。
SKハイニックスは2日(現地時間)、米サンタクララで開幕した「フラッシュメモリサミット2022」(FMS2022)で「238層512ギガビットTLC 4D NAND型フラッシュメモリー」を公開した。現存するメモリー半導体のうち最高層だ。これまでは先月27日に米マイクロンが量産を始めると明らかにした232層NANDが最高層だった。
NANDは電源が切れてもデータが保存されるメモリー半導体で、業界で200層以上は「夢の技術」と呼ばれる。TLCはセル1個に3ビットを保存できるという意味で、層が高いほど同じ面積に高容量を実現できる。
保存容量は増えたが、高難度設計技術を適用して世界で最も小さく具現した。このため性能と効率が高まった。SKハイニックスの関係者は「データ伝送速度は1秒あたり2.4Gbで、従来の176層より50%ほど速くなり、チップがデータを読む時に使用するエネルギー使用量は21%減少した」と話した。
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