2024年6月2日、韓国・電子新聞は「HBM(High Bandwidth Memory、広帯域メモリー)市場に遅れて参入した米マイクロン・テクノロジーが、SKハイニックスやサムスン電子より高性能のHBM開発に相次ぎ成功し、韓国メモリーを脅かす存在に急浮上している」と伝えた。
業界によると、マイクロンの次世代HBM新製品は低電力性能評価で優秀な結果を出しており、SKハイニックス、サムスン電子より優位に立っている。関係者は「韓国HBM業界もマイクロンの低電力技術を認め、警戒し始めている」と話している。
マイクロンの次世代HBMは「HBM3E 12H」とみられる。同社は2月に公開した「HBM3E 8H」でも競合メーカー比30%電力効率の優れた製品を出し、NVIDIAへの供給に成功しており、「次世代HBMでもトップに立つ勢い」だという。
また、これまで弱点とされてきた生産能力(CAPA)も急速に伸びており、SKハイニックスとサムスン電子を猛追しているという。マイクロンのHBM生産能力は今年12インチウェハ基準2万枚。韓国2社の生産能力の20%ほどだが、来年には大きく拡大され、量産能力の面でも韓国の脅威になる見通しだという。
さらに同社は大規模設備投資も進めている。最近、今年の施設投資計画を従来の75億ドルから80億ドル(約1兆2483億円)に上方修正した。次世代HBM生産のためにニューヨーク州、アイダホ州に工場も新設するという。記事は「米国政府が半導体覇権を握るために自国中心の半導体支援政策を繰り出しているのも、シナジー効果を生んでいる」と評している。
マイクロンはCHIPS法(CHIPS and Science Act)により、61億ドルの補助金を受け取ることになっている。インテル、TSMC、サムスン電子に次いで4番目に規模が大きい。同社設備投資のかなりの部分に、政府からの半導体補助金が充てられるという。
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https://www.recordchina.co.jp/b934713-s39-c20-d0195.html


