次世代型「AlN」パワー半導体の実験に日本が世界で初めて成功、大きさを劇的に縮小することができる

NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5％以下に抑えられる可能性があり、脱炭素に向けた次世代「パワー半導体」として期待される。

　トランジスタは、金属のように電気を通す導体と、ゴムのように電気を通さない絶縁体との中間の性質を持つ半導体で作られた電子素子のスイッチ。パワー半導体は、トランジスタなど電気を制御する半導体の総称だ。スマホや家電、電気自動車などに使われ、現在は主にシリコンが材料だ。

　窒化アルミニウムの半導体はシリコンに比べて厚さを約40分の1にすることができる。電気が流れる距離が短くなるため、電気抵抗が減って電力の損失が抑えられる。

　パワー半導体では、シリコンより省エネのシリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）による開発も進められている。窒化アルミニウムは理論上、電力のロスをシリコンの5%以下、SiCの35%以下、GaNの半分以下にできる見込みという。

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https://news.yahoo.co.jp/articles/bf46733af37340e97752bb7c449923787d02cca4

だが量産は不可

パワー半導体は日本がトップクラスでしのぎを削ってるな。　外国勢力がマスゴミ使って妨害入れてくるだろうが頑張ってほしい。

普及はしないから

NTTはたしか人工ダイアモンドの半導体も研究してたよな

SiCは普及してきたし、GaNもぼちぼち使われている。

ガリウムを使わずに済むのは資源安保上良いことだよね。　いま普及期にあるSiCからGaNを経ずにこれになっていけば。

薄すぎて製造大変になるな。現場でパリパリやりそう

そういうのはまずsicがじゅうぶん
実用になってからでいいよ。

1センチの厚みで12000kV、0.1ミリの厚さでも120kVの絶縁耐圧を持つ
つまり、これでトランジスタ作ると超高圧変電所の制御が
手のひらサイズになってしまう
正にバケモノ級

電力ロスは抵抗による発熱ってこと？
それともトンネル効果が少ないってこと？

てことは発熱も相当抑えられるわけか
すげえな

ついにintelCPUが爆熱から開放されるのか

パワーデバイスとロジック半導体混同してる奴多すぎる
次世代パワーデバイスの恩恵は電源の発熱が減るのであって、CPUの発熱が減るわけではない

いやあ、これらは日米6G連合用の技術開発の一部だろう
支那に5Gをやられそうになった米国が6Gは日米でといいだして今のところはそのように進行してる
なぜそうなったのかというと米国に排除され行き場を失った技術をNTT、NEC方面のどこかが
華為技術に持ち込んでやってたのが支那の5Gだから

cpuやgpuの省電力化(低発熱化)が、
プロセスルールの微細化以外の方法で可能になるわけだ

これが量産されればいままでとちょっと違う製品作れるの？

また勝ってしまうのか

つまり薄くて発熱しにくい半導体ってことか
CPUに使えるの？

いわゆる弱電と強電というやつだな
弱電は情報処理とかで使うような低電圧の回路とか素子の話
強電は電力関連で使うような高電圧の回路とか素子の話
今回の話は強電に分類される方だな

>>1

素晴らしい❗